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[发明专利]利用制备三氯氢硅的装置制备三氯氢硅的方法-CN201410345206.8在审
发明人：司文学;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用制备三氯氢硅的装置制备三氯氢硅的方法，包括：将四氯化硅和二氯二氢硅分别从四氯化硅入口和二氯二氢硅入口供给至精馏塔本体内；使精馏塔本体内的四氯化硅经过再沸器加热后转化成四氯化硅蒸汽进入反应区；使四氯化硅蒸汽与二氯二氢硅在反应区内发生反歧化反应，以便得到含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物；将含有三氯氢硅、二氯二氢硅和四氯化硅的混合物在精馏区内进行精馏处理，以便分离得到气态三氯氢硅；以及将气态三氯氢硅在冷凝器中进行冷凝处理，以便得到液态三氯氢硅，并将液态三氯氢硅的一部分返回至精馏区。该方法可以解决二氯二氢硅无法大规模处理的难题和二氯二氢硅转化率低的问题。
利用制备三氯氢硅装置方法

[发明专利]三氯氢硅的除杂方法、多晶硅材料和三氯氢硅除杂系统-CN201911064649.9有效
发明人：王体虎;张宝顺;宗冰 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及三氯氢硅的除杂方法、多晶硅材料和三氯氢硅除杂系统；该三氯氢硅的除杂方法包括：用金属除杂填料对热的三氯氢硅进行除杂吸附；该三氯氢硅除杂系统包括：金属除杂反应器和与金属除杂反应器的入气口连通的加热器本发明提供的三氯氢硅的除杂方法和三氯氢硅除杂系统，能够深度去除三氯氢硅中的杂质，以制得碳含量极低得三氯氢硅。
三氯氢硅方法多晶材料系统

[发明专利]三氯氢硅净化系统和方法-CN202010344097.3在审
发明人：吴锋;张天雨;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了三氯氢硅净化系统和方法。其中，三氯氢硅净化系统包括：添加剂预处理装置，所述添加剂预处理装置具有金属单质入口、有机溶剂入口和添加剂出口；三氯氢硅预处理装置，所述三氯氢硅预处理装置具有三氯氢硅粗品入口、添加剂入口和混合物料出口，所述添加剂入口与所述添加剂出口相连；精馏装置，所述精馏装置具有物料入口和精制三氯氢硅出口，所述物料入口与所述混合物料出口相连。该三氯氢硅净化系统通过采用添加剂预处理装置、三氯氢硅预处理装置和精馏装置，可以有效除去三氯氢硅中含碳杂质，获得高纯度的三氯氢硅产品。
三氯氢硅净化系统方法

[实用新型]三氯氢硅净化系统-CN202020671519.3有效
发明人：吴锋;张天雨;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了三氯氢硅净化系统。该三氯氢硅净化系统包括：添加剂预处理装置，所述添加剂预处理装置具有金属单质入口、有机溶剂入口和添加剂出口；三氯氢硅预处理装置，所述三氯氢硅预处理装置具有三氯氢硅粗品入口、添加剂入口和混合物料出口，所述添加剂入口与所述添加剂出口相连；精馏装置，所述精馏装置具有物料入口和精制三氯氢硅出口，所述物料入口与所述混合物料出口相连。该三氯氢硅净化系统通过采用添加剂预处理装置、三氯氢硅预处理装置和精馏装置，可以有效除去三氯氢硅中含碳杂质，获得高纯度的三氯氢硅产品。
三氯氢硅净化系统

[发明专利]电子级多晶硅的制备方法-CN201810230520.X有效
发明人：严大洲;杨永亮;万烨;汤传斌;张升学;姜利霞;石何武;张志刚;赵雄 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级多晶硅的制备方法。该制备方法包括：将三氯氢硅液体和/或氯硅烷液体进行提纯，得到三氯氢硅，氯硅烷液体包括三氯氢硅；及采用氢气与三氯氢硅进行还原反应，得到电子级多晶硅，提纯步骤包括：对三氯氢硅液体和/或氯硅烷液体进行第一精馏过程，得到三氯氢硅粗产品；将三氯氢硅粗产品与络合剂发生络合反应，以使三氯氢硅粗产品中的杂质转化为络合物，得到中间产物，其中杂质包括B、P和Fe、Al组成的组中的一种或多种；及将中间产物进行第二精馏过程，以去除络合物，得到三氯氢硅。将纯度较高的三氯氢硅原料与氢气发生还原反应，得到电子级多晶硅。上述制备方法的工艺流程成熟简单，具有能耗低、产品质量稳定等优点。
三氯氢硅电子级多晶硅制备氯硅烷液体粗产品三氯氢硅液体还原反应络合物提纯精馏络合反应氢气发生质量稳定氢气工艺流程络合剂去除能耗成熟转化

[发明专利]一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法-CN201810454678.5有效
发明人：王生红;曹玲玲;鲍守珍;蔡延国;宗冰;李彦;董海涛;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。
一种制备高纯三氯氢硅装置方法

[实用新型]一种三氯氢硅合成炉的升温系统-CN202320095060.0有效
发明人：李兵;蒲勇;张芥铭;明勇;庹如刚;张小强;彭杨;侯槟;杨加平 -专利权人：四川永祥新能源有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三氯氢硅合成炉的升温系统，属于多晶硅生产中三氯氢硅合成设备技术领域，包括三氯氢硅合成炉，所述三氯氢硅合成炉连接有用于升温三氯氢硅合成炉的氯硅烷管线或氢气与氯硅烷的混合气管线，氯硅烷管线或混合气管线上设有加热装置，三氯氢硅合成炉顶部的出料口连接气体回收子系统，解决了现有技术中升温三氯氢硅合成炉系统存在大量的氮气、氯化氢浪费或三氯氢硅合成炉升温慢，影响生产效率的问题。
一种三氯氢硅合成升温系统

[发明专利]多晶硅生产方法和系统-CN201110054590.2有效
发明人：齐林喜;陈琳;刘占卿 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：多晶硅生产方法和系统。该方法包括：提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；提供氢气；使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；提供设置有硅芯的还原炉；以及在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4-0.6Mpa，硅芯温度为1080-1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。由于本发明将精炼提纯的三氯氢硅和二氯二氢硅按照特定比例混合进入还原炉，因此可获得快速的硅沉积速率，同时又不会发生均相成核现象。另外，本发明还显著提高了多晶硅的生产质量、大大降低了能耗和生产成本。
多晶生产方法系统

[发明专利]提纯三氯氢硅的方法-CN201510247059.5有效
发明人：姚国华;张艳春;李锋;王洪光;白竟超;彭述才 -专利权人：国电内蒙古晶阳能源有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提出了一种提纯三氯氢硅的方法，包括将三氯氢硅进行冷却处理，以便得到冷却的三氯氢硅；将冷却的三氯氢硅在吸附塔内进行吸附处理，以便吸附硼和磷并得到精制三氯氢硅，其中，吸附塔内填充有弱碱性聚合树脂。利用该方法可以同时除去三氯氢硅中的微量硼磷杂质，提高三氯氢硅质量，该方法简单易行、成本低、除杂效果良好。
提纯三氯氢硅方法

[发明专利]三氯氢硅汽化装置-CN201110160672.5无效
发明人：刘畅;王岭;张维;刘维 -专利权人：四川新光硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及到多晶硅生产装置，具体地说涉及到一种三氯氢硅的汽化装置，属于多晶硅生产技术领域。本发明的三氯氢硅汽化装置，包括蒸发器、氢气输送管、三氯氢硅液体输送管、三氯氢硅气体输送管、混合气输送管、混合器，蒸发器的下端设有三氯氢硅液体入口、上端设置有三氯氢硅气体出口；三氯氢硅液体入口与三氯氢硅液体输送管相连通；三氯氢硅液体输送管、氢气输送管上均设置有计量器；混合器分别与氢气输送管、三氯氢硅气体输送管以及混合气输送管相连通。利用本发明的三氯氢硅汽化装置对三氯氢硅进行汽化，可以得到配比稳定、混合均匀的混合气；原料的混合更均匀，有利于还原炉的还原反应中硅棒的均匀生长，生产出的晶粒外观质量较好。
三氯氢硅汽化装置

[实用新型]三氯氢硅汽化装置-CN201120201661.2无效
发明人：刘畅;王岭;张维;刘维 -专利权人：四川新光硅业科技有限责任公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及到多晶硅生产装置，具体地说涉及到一种三氯氢硅的汽化装置，属于多晶硅生产技术领域。本实用新型的三氯氢硅汽化装置，包括蒸发器、氢气输送管、三氯氢硅液体输送管、三氯氢硅气体输送管、混合气输送管、混合器，蒸发器的下端设有三氯氢硅液体入口、上端设置有三氯氢硅气体出口；三氯氢硅液体入口与三氯氢硅液体输送管相连通；三氯氢硅液体输送管、氢气输送管上均设置有计量器；混合器分别与氢气输送管、三氯氢硅气体输送管以及混合气输送管相连通。利用本实用新型的三氯氢硅汽化装置对三氯氢硅进行汽化，可以得到配比稳定、混合均匀的混合气；原料的混合更均匀，有利于还原炉的还原反应中硅棒的均匀生长，生产出的晶粒外观质量好。
三氯氢硅汽化装置

[发明专利]一种多晶硅生产装置及工艺-CN200910178571.3有效
发明人：周强民 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅生产装置，包括三氯氢硅合成炉、三氯氢硅还原炉、四氯化硅氢化炉、三氯氢硅合成尾气回收装置和三氯氢硅还原尾气回收装置，所述四氯化硅氢化炉的尾气排出口与所述三氯氢硅合成炉的进料口连接，三氯氢硅还原尾气回收装置的进气口与三氯氢硅还原炉的出气口连接本发明将四氯化硅氢化炉的尾气排出口与三氯氢硅合成炉的进料口连接，使四氯化硅氢化反应产生的尾气直接进入三氯氢硅合成炉，使得三氯氢硅的生成率高，多晶硅产品纯度较高，避免排出大量的杂质氯硅烷，节省了原材料，并省去了膜压机、液氯气化、氯化氢合成装置，整个生产工艺流程为四氯化硅氢化与三氯氢硅还原形成的物料闭环循环，没有废料外排，有利于环保。
一种多晶生产装置工艺

[发明专利]一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统及方法-CN202211641257.6在审
发明人：李学刚;肖文德;阎建民;罗漫 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由二氯氢硅歧化反应制备甲硅烷和三氯氢硅的系统，该系统以二氯氢硅为原料，通过二氯氢硅歧化反应装置(200)，制备甲硅烷并联产三氯氢硅。该方法包括以下步骤：二氯氢硅歧化反应：将二氯氢硅送入二氯氢硅歧化反应装置(200)；粗甲硅烷精制：来自二氯氢硅歧化反应装置(200)的气态粗甲硅烷经冷却后送入粗甲硅烷精制装置(400)。与现有技术相比，本发明以二氯氢硅为原料，经过歧化反应制备甲硅烷和副产物三氯氢硅，其中副产物三氯氢硅在提纯后可直接用于改良西门子法沉积多晶硅，实现甲硅烷生产与多晶硅生产工艺结合程度高、综合能耗和物耗低。
一种二氯氢硅歧化反应制备硅烷三氯氢硅系统方法

[发明专利]一种电子级二氯二氢硅的制备方法及设备-CN201810747794.6在审
发明人：王红星;陈锦溢;郑广强;华超;李飞;刘伯潭;盖晓龙 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级二氯二氢硅的制备方法及设备。主要包括反应部分、二氯二氢硅的提纯、三氯氢硅的回收。应用本发明的技术方案，三氯氢硅原料经预热器预热后进入固定床反应器，在固定床反应器内歧化催化剂的催化作用下反应生成二氯二氢硅；反应产物进入分离塔，塔顶得到粗二氯二氢硅，粗二氯二氢硅分别经脱轻塔和脱重塔脱除其中的轻组分和重组分，得到电子级二氯二氢硅产品；分离塔塔底采出的含三氯氢硅的重组分进入三氯氢硅回收塔回收其中的三氯氢硅，回收所得的三氯氢硅返回至固定床反应器。
二氯二氢硅三氯氢硅电子级固定床反应器制备方法及设备分离塔回收工艺系统流程歧化催化剂产品品质催化作用回收塔脱轻塔脱重塔预热器提纯预热收率塔顶脱除返回应用

[发明专利]提纯三氯氢硅的方法及系统-CN202010120663.2有效
发明人：吴锋;李明峰;李福中;韩秀娟;王海豹 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了提纯三氯氢硅的方法及系统。其中，提纯三氯氢硅的方法包括：(1)采用碱性溶液对金属氧化物微球进行表面处理，以便在所述金属氧化物微球表面形成羟基；(2)将三氯氢硅与步骤(1)得到的微球混合并进行脱重处理，以便使所述羟基与三氯氢硅和有机物杂质反应并除去反应产物，得到初级纯化的三氯氢硅；(3)对步骤(2)得到的三氯氢硅进行脱轻处理和脱重处理，以便得到高纯三氯氢硅。该方法不仅工艺简单，还可以高效去除三氯氢硅中的有机物杂质，使最终得到的高纯三氯氢硅产品中有机物杂质的质量浓度不高于20ppb。
提纯三氯氢硅方法系统

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